logo

SP000928260

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
IPD65R660CFDA är utformad för högspänningsapplikationer, särskilt i resonanta switch-kretsar. Dess egenskaper gör den idealisk för användning i industriella strömförsörjningar, fordonsystem och konsumentelektronik, där effektivitet och tillförlitlighet är avgörande.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
MOSFET:er N-Ch 650V 6A DPAK-2
MOSFET:er N-Ch 650V 6A DPAK-2
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IPD65R660CFDA is a 650V N-channel MOSFET designed for high-voltage power applications. It features ultra-fast body diode, low RDS(on) of 0.66 Ω, and high commutation ruggedness, making it suitable for efficient resonant switching applications. The device supports a continuous drain current of 6A and a pulsed drain current of 17A.
The IPD65R660CFDA is a 650V N-channel MOSFET designed for high-voltage power applications. It features ultra-fast body diode, low RDS(on) of 0.66 Ω, and high commutation ruggedness, making it suitable for efficient resonant switching applications. The device supports a continuous drain current of 6A and a pulsed drain current of 17A.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.