logo

SCTW90N65G2V

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

SCTW90N65G2V är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt inom switchande applikationer, kraftförsörjningar för förnybara energisystem och högfrekventa DC-DC-omvandlare. Dess låga RDS(on) och höga termiska prestanda gör den idealisk för krävande krafthantering.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SiC-MOSFET: kiselkarbid Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ TJ = 25 C)
SiC-MOSFET: kiselkarbid Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ TJ = 25 C)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SCTW90N65G2V is a silicon carbide Power MOSFET featuring a voltage rating of 650 V, a continuous drain current of 119 A, and a typical on-state resistance (RDS(on)) of 18 mΩ at TJ = 25 °C. This device is designed for high efficiency and fast switching applications, with a maximum operating junction temperature of 200 °C.
The SCTW90N65G2V is a silicon carbide Power MOSFET featuring a voltage rating of 650 V, a continuous drain current of 119 A, and a typical on-state resistance (RDS(on)) of 18 mΩ at TJ = 25 °C. This device is designed for high efficiency and fast switching applications, with a maximum operating junction temperature of 200 °C.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.