logo

SBC807-40LT3G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

SBC807-40LT3G används inom fordons- och industriapplikationer som kräver pålitlig prestanda under varierande förhållanden. Dess robusta specifikationer, inklusive ett maximalt kollektor-emitter-spänning på -45 V och en kontinuerlig kollektorström på -500 mA, gör den idealisk för switch- och förstärkningsuppgifter i elektroniska kretsar.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolära transistorer - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Bipolära transistorer - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SBC807-40LT3G is a PNP silicon bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of -45 V, a collector current of -500 mA, and a DC current gain (hFE) of 250 to 600. The device is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant, making it suitable for automotive and other demanding applications.
The SBC807-40LT3G is a PNP silicon bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of -45 V, a collector current of -500 mA, and a DC current gain (hFE) of 250 to 600. The device is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant, making it suitable for automotive and other demanding applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.