logo

SBC807-40LT3G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

SBC807-40LT3G används inom fordons- och industriapplikationer som kräver pålitlig prestanda under varierande förhållanden. Dess robusta specifikationer, inklusive ett maximalt kollektor-emitter-spänning på -45 V och en kontinuerlig kollektorström på -500 mA, gör den idealisk för switch- och förstärkningsuppgifter i elektroniska kretsar.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolära transistorer - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Bipolära transistorer - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SBC807-40LT3G is a PNP silicon bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of -45 V, a collector current of -500 mA, and a DC current gain (hFE) of 250 to 600. The device is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant, making it suitable for automotive and other demanding applications.
The SBC807-40LT3G is a PNP silicon bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of -45 V, a collector current of -500 mA, and a DC current gain (hFE) of 250 to 600. The device is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant, making it suitable for automotive and other demanding applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.