logo

MJE350

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
MJE350, lämplig för linjära och switchande applikationer inom industriell utrustning, erbjuder hög spännings- och strömklass, vilket gör den idealisk för användning i effektstyrningskretsar, förstärkare och andra medeleffektapplikationer som kräver pålitlig prestanda.
Specifikation
Specifikation
TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20.8 W Genomgående hål SOT-32-3
Bipolär (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20.8 W Genomgående hål SOT-32-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MJE350 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for medium power applications, featuring a collector-emitter voltage of 300 V and a collector current of 0.5 A. It is housed in a SOT-32 package and has a total power dissipation of 20.8 W, making it suitable for linear and switching applications in industrial environments.
The MJE350 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for medium power applications, featuring a collector-emitter voltage of 300 V and a collector current of 0.5 A. It is housed in a SOT-32 package and has a total power dissipation of 20.8 W, making it suitable for linear and switching applications in industrial environments.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Andra tillverkare
MJE350 finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.