logo

IRF530SPBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF530SPBF är utformad för effektstyrningsapplikationer inom industriella och fordonsdomäner, särskilt i högströmsomkopplingsapplikationer. Dess robusta design och låga RDS(on) gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra högeffektiva kretsar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF530SPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS of 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, capable of dissipating up to 88W at Tc. It operates efficiently at temperatures up to 175°C and supports fast switching capabilities.
The IRF530SPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS of 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, capable of dissipating up to 88W at Tc. It operates efficiently at temperatures up to 175°C and supports fast switching capabilities.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.