logo

IRF530SPBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF530SPBF är utformad för effektstyrningsapplikationer inom industriella och fordonsdomäner, särskilt i högströmsomkopplingsapplikationer. Dess robusta design och låga RDS(on) gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra högeffektiva kretsar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF530SPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS of 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, capable of dissipating up to 88W at Tc. It operates efficiently at temperatures up to 175°C and supports fast switching capabilities.
The IRF530SPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS of 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, capable of dissipating up to 88W at Tc. It operates efficiently at temperatures up to 175°C and supports fast switching capabilities.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.