BSS123
Tillverkare
ANBON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
N-Kanal 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSS123 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 100 V and continuous Drain Current of 0.2 A. It features a low on-state resistance of 5.0 Ω at VGS = 10 V and is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
The BSS123 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 100 V and continuous Drain Current of 0.2 A. It features a low on-state resistance of 5.0 Ω at VGS = 10 V and is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
BSS123 finns även hos följande tillverkareKontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K