logo

BSS123

Tillverkare

ANBON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
BSS123 är idealisk för små servomotorstyrningar, effekt-MOSFET-gate-drivrutiner och olika switchapplikationer inom industriell och konsumentelektronik. Dess avancerade tranchprocess-teknologi säkerställer effektiv prestanda i spänningsstyrd småsignal-switchning.
Specifikation
Specifikation
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
N-Kanal 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSS123 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 100 V and continuous Drain Current of 0.2 A. It features a low on-state resistance of 5.0 Ω at VGS = 10 V and is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
The BSS123 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 100 V and continuous Drain Current of 0.2 A. It features a low on-state resistance of 5.0 Ω at VGS = 10 V and is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.