logo

BC857CE6327HTSA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
BC857CE6327HTSA1 är avsedd för användning inom industriella och konsumentelektronikapplikationer, särskilt i ljudfrekvensingångssteg och drivrutinskretsar. Dess höga strömförstärkning och låga bruskarakteristik gör den idealisk för att förstärka signaler i olika elektroniska enheter, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
BJT SOT23 45V PNP 0.25W 150C
BJT SOT23 45V PNP 0.25W 150C
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 330 mW ytmonterad PG-SOT23
Bipolär (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 330 mW ytmonterad PG-SOT23
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BC857CE6327HTSA1 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) in a SOT23 package, rated for a collector-emitter voltage of 45V and a maximum collector current of 100mA. It features a low collector-emitter saturation voltage and high current gain, making it suitable for audio frequency input stages and driver applications. The device operates up to 250MHz and has a power dissipation of 330mW, with a junction temperature rating of 150°C.
The BC857CE6327HTSA1 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) in a SOT23 package, rated for a collector-emitter voltage of 45V and a maximum collector current of 100mA. It features a low collector-emitter saturation voltage and high current gain, making it suitable for audio frequency input stages and driver applications. The device operates up to 250MHz and has a power dissipation of 330mW, with a junction temperature rating of 150°C.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.