logo

BAP55LX,315

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
BAP55LX är lämplig för RF-applikationer, inklusive RF-dämpare och omkopplare. Dess högsnabbsväxling, låga framspänning och låga seriemotstånd gör den idealisk för användning inom telekommunikation och industriella RF-system, med effektiv drift upp till 3 GHz.
Specifikation
Specifikation
RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 135 mW DFN1006D-2
RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 135 mW DFN1006D-2
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BAP55LX is a silicon PIN diode designed for RF applications, featuring a maximum reverse voltage of 50V and a forward current of 100mA. It operates with low capacitance and resistance, ensuring high-speed switching for RF signals up to 3 GHz. Packaged in a DFN1006D-2 leadless ultra-small plastic SMD package, it offers excellent thermal performance with a total power dissipation of 135mW.
The BAP55LX is a silicon PIN diode designed for RF applications, featuring a maximum reverse voltage of 50V and a forward current of 100mA. It operates with low capacitance and resistance, ensuring high-speed switching for RF signals up to 3 GHz. Packaged in a DFN1006D-2 leadless ultra-small plastic SMD package, it offers excellent thermal performance with a total power dissipation of 135mW.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.