logo

A3I20X050GNR1

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
A3I20X050GNR1 används inom telekommunikation, specifikt i cellulära basstationer. Dess bredbandskapabiliteter och integrerade design gör den idealisk för applikationer som kräver effektiv RF-förstärkning över frekvensområdet 1,8 GHz till 2,2 GHz, vilket stöder flera modulationsformat.
Specifikation
Specifikation
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF-förstärkar-IC 1.8GHz ~ 2.2GHz OM-400G-8
RF-förstärkar-IC 1.8GHz ~ 2.2GHz OM-400G-8
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3I20X050GNR1 is an RF Amplifier IC designed for wideband applications, operating from 1.8 GHz to 2.2 GHz. It features an integrated Doherty circuit with on-chip matching, supporting 20 to 32 V operation. Rated for 6.3 W average output power, it is suitable for various cellular base station modulation formats, ensuring high efficiency and performance.
The A3I20X050GNR1 is an RF Amplifier IC designed for wideband applications, operating from 1.8 GHz to 2.2 GHz. It features an integrated Doherty circuit with on-chip matching, supporting 20 to 32 V operation. Rated for 6.3 W average output power, it is suitable for various cellular base station modulation formats, ensuring high efficiency and performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.