A2T21H100-25SR3
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS
RF MOSFET LDMOS
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd av 5 mm (0.20 tum). Den har en RDS(on) på 0.1 ohm och är designad med ett tjockfilmsmotstånd. Enheten tål en effekt på 2 watt och har en trumformad kärna. Den är trådlindad och klassificeras som ytmonterad.
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd av 5 mm (0.20 tum). Den har en RDS(on) på 0.1 ohm och är designad med ett tjockfilmsmotstånd. Enheten tål en effekt på 2 watt och har en trumformad kärna. Den är trådlindad och klassificeras som ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A2T21H100-25SR3 is an N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz, delivering 18 W average output power with a drain efficiency of up to 52.1%. This device features advanced Doherty performance and is optimized for digital predistortion systems.
The A2T21H100-25SR3 is an N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz, delivering 18 W average output power with a drain efficiency of up to 52.1%. This device features advanced Doherty performance and is optimized for digital predistortion systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K