logo

2SK3075(TE12L,Q)

Tillverkare

TOSHIBA

2SK3075 är avsedd för användning i högfrekventa effektförstärkare inom telekommunikationsutrustning, specifikt utformad för VHF- och UHF-band. Dess specifikationer gör den lämplig för applikationer som kräver effektiv RF-effektförstärkning, vilket säkerställer pålitlig prestanda i kommunikationssystem.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF MOSFET-transistorer N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
RF MOSFET-transistorer N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2SK3075 is an N-Channel RF Power MOSFET designed for VHF and UHF band power amplifiers. It features a drain-source voltage (VDSS) of 30V, a drain current (ID) of 5A, and a power dissipation (PD) of 20W. With an output power of 7.5W and a power gain of 11.7dB, it is optimized for high-frequency telecommunications applications.
The 2SK3075 is an N-Channel RF Power MOSFET designed for VHF and UHF band power amplifiers. It features a drain-source voltage (VDSS) of 30V, a drain current (ID) of 5A, and a power dissipation (PD) of 20W. With an output power of 7.5W and a power gain of 11.7dB, it is optimized for high-frequency telecommunications applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.