logo

2SC2712-O(TE85L,F)

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
TOSHIBA 2SC2712-O(TE85L,F) är lämplig för tjockfilmsmotstånd och audiofrekvens allmänna förstärkarapplikationer. Dess höga spännings- och strömklassificeringar gör den idealisk för konsumentelektronik och telekommunikation, där pålitlig förstärkning är avgörande.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolär (BJT) Enkel Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, ytmonterad.
TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolär (BJT) Enkel Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The TOSHIBA 2SC2712-O(TE85L,F) is a silicon NPN bipolar transistor designed for low-frequency and audio frequency amplifier applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of 50 V, a collector current (IC) of 150 mA, and a power dissipation of 200 mW. The device is housed in a SOT-346 surface mount package, ensuring compact integration in electronic circuits.
The TOSHIBA 2SC2712-O(TE85L,F) is a silicon NPN bipolar transistor designed for low-frequency and audio frequency amplifier applications. It features a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of 50 V, a collector current (IC) of 150 mA, and a power dissipation of 200 mW. The device is housed in a SOT-346 surface mount package, ensuring compact integration in electronic circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.