logo

RFD16N05LSM9A

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
RFD16N05LSM9A är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt inom effektstyrning och switchande kretsar. Dess höga ingångsimpedans och nanosekundsnabb switching gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra elektroniska enheter som kräver effektiv effektbehandling.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RFD16N05LSM9A is a 60V N-Channel MOSFET designed for efficient switching applications. It features a maximum continuous drain current of 16A, an on-state resistance (RDS(ON)) of less than 47mΩ at VGS = 5V, and fast switching speeds with a turn-on time of 60 ns. This device is optimized for 5V gate drives and can be directly driven from CMOS, NMOS, and TTL circuits.
The RFD16N05LSM9A is a 60V N-Channel MOSFET designed for efficient switching applications. It features a maximum continuous drain current of 16A, an on-state resistance (RDS(ON)) of less than 47mΩ at VGS = 5V, and fast switching speeds with a turn-on time of 60 ns. This device is optimized for 5V gate drives and can be directly driven from CMOS, NMOS, and TTL circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
RFD16N05LSM9A finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.