logo

NTR4171PT1G

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
NTR4171PT1G är lämplig för lastbrytartillämpningar i bärbar utrustning som mobiltelefoner, PDA:er och mediespelare. Dess specifikationer gör den idealisk för batteri- och lasthantering, vilket säkerställer effektiv kraftkontroll i kompakta elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NTR4171PT1G is a P-Channel MOSFET designed for load switching applications, featuring a maximum Drain-to-Source Voltage (VDSS) of -30V and a continuous Drain Current (ID) of -2.2A. It operates efficiently with an on-state resistance (RDS(on)) of 75mΩ at VGS = -10V. This device is optimized for battery and load management in portable electronics.
The NTR4171PT1G is a P-Channel MOSFET designed for load switching applications, featuring a maximum Drain-to-Source Voltage (VDSS) of -30V and a continuous Drain Current (ID) of -2.2A. It operates efficiently with an on-state resistance (RDS(on)) of 75mΩ at VGS = -10V. This device is optimized for battery and load management in portable electronics.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
NTR4171PT1G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.