logo

NTR4171PT1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
NTR4171PT1G är optimerad för batteri- och lasthanteringsapplikationer i bärbar utrustning som mobiltelefoner, PDA:er och mediespelare. Dess låga RDS(on) och höga strömtålighet gör den idealisk för lastbrytartillämpningar inom konsumentelektronik.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 30 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
P-Kanal 30 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NTR4171PT1G is a P-Channel MOSFET designed for power applications, featuring a maximum Drain-to-Source Voltage of -30V and a continuous Drain Current of -2.2A. It offers low RDS(on) at low gate voltages, making it suitable for battery and load management in portable devices. The device is housed in a SOT-23-3 package.
The NTR4171PT1G is a P-Channel MOSFET designed for power applications, featuring a maximum Drain-to-Source Voltage of -30V and a continuous Drain Current of -2.2A. It offers low RDS(on) at low gate voltages, making it suitable for battery and load management in portable devices. The device is housed in a SOT-23-3 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
NTR4171PT1G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.