logo

MJ11033G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
MJ11033G används i högströmskomplementära kiselkrafttransistorapplikationer, särskilt i allmänna förstärkare. Dess robusta specifikationer gör den lämplig för industriella och fordonsdomäner, där hög tillförlitlighet och prestanda är avgörande.
Specifikation
Specifikation
TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A 300 W Genomgående hål TO-204 (TO-3)
Bipolär (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A 300 W Genomgående hål TO-204 (TO-3)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MJ11033G is a PNP Darlington transistor designed for high-current applications, featuring a collector-emitter voltage of 120 V and a continuous collector current of 50 A. It offers a high DC current gain (hFE) of 1000 minimum at 25 A and is housed in a TO-204 (TO-3) package, suitable for through-hole mounting. With a power dissipation of 300 W and a junction temperature rating of +200°C, it is ideal for robust amplifier circuits.
The MJ11033G is a PNP Darlington transistor designed for high-current applications, featuring a collector-emitter voltage of 120 V and a continuous collector current of 50 A. It offers a high DC current gain (hFE) of 1000 minimum at 25 A and is housed in a TO-204 (TO-3) package, suitable for through-hole mounting. With a power dissipation of 300 W and a junction temperature rating of +200°C, it is ideal for robust amplifier circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
MJ11033G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.