logo

ISL9V2040D3ST

Tillverkare

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
ISL9V2040D3ST används i hög-effektiva strömbrytartillämpningar såsom motorstyrningar, effektomvandlare och hög-effekt elektroniska system. Dess design möjliggör effektiv kontroll och minimal energiförlust, vilket gör den lämplig för energieffektiva lösningar inom industriell och konsumentelektronik.
Specifikation
Specifikation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
IGBT. Enheten har en ytmonterad design med en tjocklek på 1,5 mm (0,059 in) och en bredd på 10 mm (0,394 in). Den är utrustad med RDS(on) egenskaper och kan hantera en effektklass på upp till 100 W. Kärnan är designad med en trumformad kärna för förbättrad prestanda, och motstånden är tillverkade med tjockfilmsmotstånd teknik. Lindningen är trådlindad för att säkerställa optimal effektivitet.
IGBT. Enheten har en ytmonterad design med en tjocklek på 1,5 mm (0,059 in) och en bredd på 10 mm (0,394 in). Den är utrustad med RDS(on) egenskaper och kan hantera en effektklass på upp till 100 W. Kärnan är designad med en trumformad kärna för förbättrad prestanda, och motstånden är tillverkade med tjockfilmsmotstånd teknik. Lindningen är trådlindad för att säkerställa optimal effektivitet.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The ISL9V2040D3ST from Fairchild Semiconductor is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-efficiency power switching applications. This device combines the easy control of a MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor. It is suitable for use in various applications, including motor drives, power inverters, and other high-power electronic systems. The IGBT features low RDS(on) characteristics, ensuring minimal power loss during operation, making it ideal for energy-efficient designs.
The ISL9V2040D3ST from Fairchild Semiconductor is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-efficiency power switching applications. This device combines the easy control of a MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor. It is suitable for use in various applications, including motor drives, power inverters, and other high-power electronic systems. The IGBT features low RDS(on) characteristics, ensuring minimal power loss during operation, making it ideal for energy-efficient designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
ISL9V2040D3ST finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.