logo

FQD19N10LTM

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FQD19N10LTM är avsedd för användning inom industriella tillämpningar såsom switchade nätaggregat, ljudförstärkare, DC-motorkontroll och variabla switchade effektapplikationer. Dess avancerade MOSFET-teknik säkerställer hög effektivitet och tillförlitlighet i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FQD19N10LTM is an N-Channel enhancement mode power MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of 100V and a continuous Drain Current (ID) of 15.6A at TC = 25°C. It features low on-state resistance (RDS(ON) < 100mΩ at VGS = 10V) and excellent switching performance, making it suitable for various power applications.
The FQD19N10LTM is an N-Channel enhancement mode power MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of 100V and a continuous Drain Current (ID) of 15.6A at TC = 25°C. It features low on-state resistance (RDS(ON) < 100mΩ at VGS = 10V) and excellent switching performance, making it suitable for various power applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FQD19N10LTM finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.