logo

FQD13N10LTM

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FQD13N10L är idealisk för industriella tillämpningar, inklusive switchade strömförsörjningar, ljudförstärkare, DC-motorkontroll och variabla switchade strömförsörjningar. Dess robusta termiska egenskaper och höga avbrottenergi styrka ökar dess tillförlitlighet i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FQD13N10L is a 100V N-Channel MOSFET designed for high-performance applications. It features a maximum continuous drain current of 10A at TC = 25°C, with an on-state resistance (RDS(on)) of less than 180mΩ at VGS = 10V. This device is optimized for reduced on-state resistance and superior switching performance, making it suitable for various power applications.
The FQD13N10L is a 100V N-Channel MOSFET designed for high-performance applications. It features a maximum continuous drain current of 10A at TC = 25°C, with an on-state resistance (RDS(on)) of less than 180mΩ at VGS = 10V. This device is optimized for reduced on-state resistance and superior switching performance, making it suitable for various power applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FQD13N10LTM finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.