logo

FDP036N10A

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDP036N10A är lämplig för industriella tillämpningar som synkron rektifiering i ATX- och serverströmkällor, batteriskyddskretsar, motorstyrningar och mikrosol inverterare. Dess höga effektkapacitet och låga RDS(on) gör den idealisk för effektiv energihantering i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDP036N10A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for applications requiring fast switching speeds and low on-state resistance. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 120A, it features a low RDS(on) of 3.6 mΩ at VGS = 10V, making it ideal for synchronous rectification, battery protection circuits, and motor drives.
The FDP036N10A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for applications requiring fast switching speeds and low on-state resistance. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 120A, it features a low RDS(on) of 3.6 mΩ at VGS = 10V, making it ideal for synchronous rectification, battery protection circuits, and motor drives.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDP036N10A finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.