logo

FDN359BN

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN359BN är lämplig för låga spännings- och batteridrivna applikationer, särskilt inom industriella och konsumentelektronikområden. Dess låga RDS(on) och snabba switchingsförmåga gör den idealisk för effektstyrning, motorstyrning och signalväxling.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN359BN is an N-Channel Logic Level MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage of 30V and a continuous Drain Current of 2.7A. It features low on-state resistance (RDS(on)) of 46mΩ at VGS = 10V and 60mΩ at VGS = 4.5V, making it ideal for low voltage and battery-powered applications requiring efficient switching performance.
The FDN359BN is an N-Channel Logic Level MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage of 30V and a continuous Drain Current of 2.7A. It features low on-state resistance (RDS(on)) of 46mΩ at VGS = 10V and 60mΩ at VGS = 4.5V, making it ideal for low voltage and battery-powered applications requiring efficient switching performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN359BN finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.