logo

FDN359AN

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN359AN är lämplig för låga spännings- och batteridrivna applikationer, inklusive konsumentelektronik, effektstyrning och switchande kretsar. Dess avancerade PowerTrench-process minimerar energiförlust och förbättrar växlingseffektiviteten, vilket gör den idealisk för applikationer som kräver effektiv energianvändning.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN359AN is an N-Channel MOSFET designed for low voltage applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of 30V and a continuous Drain Current (ID) of 2.7A. It exhibits low on-state resistance (RDS(ON)) of 46mΩ at VGS = 10V, ensuring efficient performance in battery-powered devices. Its compact SOT-23 package enhances integration in space-constrained designs.
The FDN359AN is an N-Channel MOSFET designed for low voltage applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of 30V and a continuous Drain Current (ID) of 2.7A. It exhibits low on-state resistance (RDS(ON)) of 46mΩ at VGS = 10V, ensuring efficient performance in battery-powered devices. Its compact SOT-23 package enhances integration in space-constrained designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN359AN finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.