logo

FDN336P

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN336P är idealisk för bärbara elektronikapplikationer, inklusive lastswitching, effektstyrning, batteriladdningskretsar och DC/DC-omvandling. Dess låga RDS(on) och grindladdning gör den lämplig för effektiv effektstyrning inom konsumentelektronik och telekommunikation.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN336P is a P-Channel MOSFET designed for 2.5V applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -20V and a continuous Drain Current of -1.3A. It offers low on-state resistance (RDS(ON)) of 91mΩ at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management and load switching in portable electronics. Its compact SOT-23 package enhances integration in space-constrained designs.
The FDN336P is a P-Channel MOSFET designed for 2.5V applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -20V and a continuous Drain Current of -1.3A. It offers low on-state resistance (RDS(ON)) of 91mΩ at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management and load switching in portable electronics. Its compact SOT-23 package enhances integration in space-constrained designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN336P finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.