FDN336P
Tillverkare
ON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
P-Kanal 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN336P is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -1.3A. It utilizes onsemi's POWERTRENCH technology for low RDS(on) of 0.20Ω at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management in compact surface-mounted designs.
The FDN336P is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -1.3A. It utilizes onsemi's POWERTRENCH technology for low RDS(on) of 0.20Ω at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management in compact surface-mounted designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN336P finns även hos följande tillverkareKontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K