logo

FDN308P

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN308P är utformad för effektstyrningsapplikationer, inklusive lastbrytning och batteriskydd inom industriell och konsumentelektronik. Dess låga RDS(on) och snabba switchningsegenskaper gör den lämplig för effektiv kraftkontroll i olika elektroniska kretsar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
P-Kanal 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN308P is a P-Channel MOSFET rated for 20V and 1.5A, utilizing onsemi's POWERTRENCH technology for enhanced power management. It features a low RDS(on) of 125 mΩ at VGS = -4.5V and is optimized for applications requiring fast switching speeds. The device is housed in a compact SUPERSOT-3 package, providing improved power handling capabilities.
The FDN308P is a P-Channel MOSFET rated for 20V and 1.5A, utilizing onsemi's POWERTRENCH technology for enhanced power management. It features a low RDS(on) of 125 mΩ at VGS = -4.5V and is optimized for applications requiring fast switching speeds. The device is housed in a compact SUPERSOT-3 package, providing improved power handling capabilities.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN308P finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Richard Mattsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.