DTC123JM3T5G
Tillverkare
ON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise 50 V 100 mA 260 mW Ytmonterad SOT-723
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise 50 V 100 mA 260 mW Ytmonterad SOT-723
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DTC123JM3T5G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 260 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
The DTC123JM3T5G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 260 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K