BDX33C
Tillverkare
ST MICROELECTRONICS
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 70 W Genomgående hål TO-220
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 70 W Genomgående hål TO-220
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BDX33C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 100 V, collector current of 10 A, and total dissipation of 70 W, housed in a TO-220 package.
The BDX33C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 100 V, collector current of 10 A, and total dissipation of 70 W, housed in a TO-220 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
BDX33C finns även hos följande tillverkareKontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K