logo

BAS116LSYL

Tillverkare

NEXPERIA

data-sheet
Datablad
Datablad
BAS116LSYL är utformad för applikationer med låg läckström och allmänna switching i olika områden, inklusive konsumentelektronik och telekommunikation. Dess ultrakompakta DFN1006BD-2-kapsel möjliggör effektiv utnyttjande av utrymme på kretskort, vilket gör den idealisk för kompakta elektroniska konstruktioner.
Specifikation
Specifikation
DIODE GP 85V 325MA DFN1006BD-2
DIODE GP 85V 325MA DFN1006BD-2
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 85 V 325mA ytmonterad DFN1006BD-2
Diode 85 V 325mA ytmonterad DFN1006BD-2
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BAS116LSYL is a low-leakage diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 85 V and a forward current rating of 325 mA. It features a compact DFN1006BD-2 surface mount package, low leakage current of 5 nA, and a reverse recovery time of 3 µs, making it suitable for general-purpose switching applications.
The BAS116LSYL is a low-leakage diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 85 V and a forward current rating of 325 mA. It features a compact DFN1006BD-2 surface mount package, low leakage current of 5 nA, and a reverse recovery time of 3 µs, making it suitable for general-purpose switching applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.