logo

AIGW50N65F5XKSA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
AIGW50N65F5XKSA1 är utformad för industriella tillämpningar, särskilt inom kraftelektronik. Dess högfrekventa switchningsegenskaper gör den idealisk för användning i externa och interna laddare, DC/DC-omvandlare och effektfaktorkorrigering, vilket säkerställer effektiv energihantering och omvandling.
Specifikation
Specifikation
IGBT 650V TO247-3
IGBT 650V TO247-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
IGBT Trench 650 V 270 W Genomgående hål PG-TO247-3-41
IGBT Trench 650 V 270 W Genomgående hål PG-TO247-3-41
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The AIGW50N65F5XKSA1 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) featuring a 650V breakdown voltage and a maximum current rating of 50A. Utilizing TRENCHSTOP™ 5 technology, it offers low gate charge and high efficiency for hard switching and resonant topologies. The device is rated for a maximum junction temperature of 175°C and is suitable for various applications including off-board and on-board chargers, DC/DC converters, and power-factor correction.
The AIGW50N65F5XKSA1 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) featuring a 650V breakdown voltage and a maximum current rating of 50A. Utilizing TRENCHSTOP™ 5 technology, it offers low gate charge and high efficiency for hard switching and resonant topologies. The device is rated for a maximum junction temperature of 175°C and is suitable for various applications including off-board and on-board chargers, DC/DC converters, and power-factor correction.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.