logo

AIGW50N65F5XKSA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
AIGW50N65F5XKSA1 är utformad för industriella tillämpningar, särskilt inom kraftelektronik. Dess högfrekventa switchningsegenskaper gör den idealisk för användning i externa och interna laddare, DC/DC-omvandlare och effektfaktorkorrigering, vilket säkerställer effektiv energihantering och omvandling.
Specifikation
Specifikation
IGBT 650V TO247-3
IGBT 650V TO247-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
IGBT Trench 650 V 270 W Genomgående hål PG-TO247-3-41
IGBT Trench 650 V 270 W Genomgående hål PG-TO247-3-41
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The AIGW50N65F5XKSA1 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) featuring a 650V breakdown voltage and a maximum current rating of 50A. Utilizing TRENCHSTOP™ 5 technology, it offers low gate charge and high efficiency for hard switching and resonant topologies. The device is rated for a maximum junction temperature of 175°C and is suitable for various applications including off-board and on-board chargers, DC/DC converters, and power-factor correction.
The AIGW50N65F5XKSA1 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) featuring a 650V breakdown voltage and a maximum current rating of 50A. Utilizing TRENCHSTOP™ 5 technology, it offers low gate charge and high efficiency for hard switching and resonant topologies. The device is rated for a maximum junction temperature of 175°C and is suitable for various applications including off-board and on-board chargers, DC/DC converters, and power-factor correction.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.