logo

A2I20H060NR1

Tillverkare

NXP

A2I20H060NR1 används i RF-förstärkningsapplikationer, särskilt inom kommunikationssystem, sändare och andra RF-enheter. Dess höga frekvens- och effektkapabiliteter gör den lämplig för trådlös kommunikation, sändning och industriella RF-applikationer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 28 V 24 mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15
RF Mosfet 28 V 24 mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NXP A2I20H060NR1 is an RF MOSFET designed for high-performance applications. This LDMOS transistor operates at a voltage of 28V and can handle a current of 24 mA, making it suitable for various RF amplification tasks. With a frequency capability of up to 1.84 GHz and a power output of 12W, it provides a gain of 28.9 dB, ensuring efficient signal amplification. Packaged in a TO-270WB-15 form factor, this component is ideal for use in RF transmitters and other communication systems requiring robust performance in demanding environments.
The NXP A2I20H060NR1 is an RF MOSFET designed for high-performance applications. This LDMOS transistor operates at a voltage of 28V and can handle a current of 24 mA, making it suitable for various RF amplification tasks. With a frequency capability of up to 1.84 GHz and a power output of 12W, it provides a gain of 28.9 dB, ensuring efficient signal amplification. Packaged in a TO-270WB-15 form factor, this component is ideal for use in RF transmitters and other communication systems requiring robust performance in demanding environments.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Richard Mattsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du ladda upp en BOM och se lagerstatus och leveranstid för alla komponenter? Sedan kan du be om en offert om du vill.