logo

1N4448TR

Tillverkare

VISHAY

data-sheet
Datablad
Datablad
1N4448TR är avsedd för användning i småsignalapplikationer, inklusive extremt snabba switchkretsar, signalriktning och allmänna elektroniska applikationer. Dess egenskaper gör den lämplig för industriella, konsumentelektronik och telekommunikationssektorer, där tillförlitlighet och effektivitet är avgörande.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 100 V 150mA Genomgående hål DO-204AH (DO-35)
Diode 100 V 150mA Genomgående hål DO-204AH (DO-35)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N4448TR is a general-purpose silicon diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 100 V and a forward continuous current rating of 300 mA. It features a low forward voltage drop and fast switching capabilities, making it suitable for various applications in electronic circuits. The diode is housed in a DO-35 (DO-204AH) package, ensuring reliable performance in compact designs.
The 1N4448TR is a general-purpose silicon diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 100 V and a forward continuous current rating of 300 mA. It features a low forward voltage drop and fast switching capabilities, making it suitable for various applications in electronic circuits. The diode is housed in a DO-35 (DO-204AH) package, ensuring reliable performance in compact designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N4448TR finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.