logo

1N4448TR

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
1N4448TR används i allmänna tillämpningar, inklusive signalbehandling, likriktning och effektstyrning inom konsumentelektronik, telekommunikation och industriell utrustning. Dess robusta specifikationer gör den lämplig för olika elektroniska kretsar som kräver pålitlig prestanda.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 100 V 200mA Genomgående hål DO-35
Diode 100 V 200mA Genomgående hål DO-35
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N4448TR is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 100 V and a forward current rating of 200 mA. It features a DO-35 package and is suitable for various applications in electronic circuits requiring reliable rectification and switching. Its low forward voltage drop and fast switching capabilities make it ideal for signal processing and power management.
The 1N4448TR is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 100 V and a forward current rating of 200 mA. It features a DO-35 package and is suitable for various applications in electronic circuits requiring reliable rectification and switching. Its low forward voltage drop and fast switching capabilities make it ideal for signal processing and power management.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N4448TR finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.