logo

UMC3NT1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
UMC3NT1G är avsedd för användning i lågeffekt elektroniska applikationer, inklusive konsumentelektronik och telekommunikation. Dess förbiased konfiguration förenklar kretsdesign, vilket gör den lämplig för kompakta och effektiva konstruktioner i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbise (Dual) 50V 100mA 150mW Ytmonterad SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbise (Dual) 50V 100mA 150mW Ytmonterad SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The UMC3NT1G is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, with a collector current of 100mA and power dissipation of 150mW. This surface-mounted device is housed in the SC-88A package, ideal for low-power applications, simplifying circuit design and reducing component count.
The UMC3NT1G is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, with a collector current of 100mA and power dissipation of 150mW. This surface-mounted device is housed in the SC-88A package, ideal for low-power applications, simplifying circuit design and reducing component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Richard Mattsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.