logo

TF412ST5G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
TF412ST5G är lämplig för användning inom lågfrekvent allmän förstärkning, impedanskonvertering och infraröda sensorapplikationer. Dess kompakta design och låga effektförbrukning gör den idealisk för användning inom konsumentelektronik och telekommunikation.
Specifikation
Specifikation
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
JFET N-Kanal 30 V 10 mA 100 mW Ytmonterad SOT-883 (XDFN3) (25.4x15.24 mm)
JFET N-Kanal 30 V 10 mA 100 mW Ytmonterad SOT-883 (XDFN3) (25.4x15.24 mm)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The TF412ST5G is an N-Channel JFET designed for low-frequency general-purpose amplification and impedance conversion. It operates at a maximum drain-to-source voltage of 30 V and a drain current of 10 mA, with a power dissipation of 100 mW. The device features a small input capacitance of 4 pF and a forward transfer admittance of 5.0 mS, packaged in an ultra-small SOT-883 (XDFN3) form factor.
The TF412ST5G is an N-Channel JFET designed for low-frequency general-purpose amplification and impedance conversion. It operates at a maximum drain-to-source voltage of 30 V and a drain current of 10 mA, with a power dissipation of 100 mW. The device features a small input capacitance of 4 pF and a forward transfer admittance of 5.0 mS, packaged in an ultra-small SOT-883 (XDFN3) form factor.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.