logo

SZESD7371P2T5G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
SZESD7371P2T5G är lämplig för ESD-skydd i RF-signalanvändningar, inklusive RF-omkoppling, effektförstärkare och antennskydd. Den är också tillämplig i USB 2.0 och USB 3.0-gränssnitt, vilket gör den idealisk för konsumentelektronik och telekommunikation där utrymmet är begränsat.
Specifikation
Specifikation
TVS DIODE 5.3VWM SOD923
TVS DIODE 5.3VWM SOD923
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Clamp Ipp Tvs Diode Ytmonterad SOD-923
Clamp Ipp Tvs Diode Ytmonterad SOD-923
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SZESD7371P2T5G is an ultra-low capacitance TVS diode designed for ESD protection of sensitive components. It features a stand-off voltage of 5.3V, low leakage current (<1 nA), and excellent clamping capability. With a maximum capacitance of 0.7 pF and high breakdown voltage, it is ideal for RF applications and compact designs.
The SZESD7371P2T5G is an ultra-low capacitance TVS diode designed for ESD protection of sensitive components. It features a stand-off voltage of 5.3V, low leakage current (<1 nA), and excellent clamping capability. With a maximum capacitance of 0.7 pF and high breakdown voltage, it is ideal for RF applications and compact designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
SZESD7371P2T5G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.