logo

SSM6N35FE,LM(T

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
TOSHIBA SSM6N35FE,LM(T) används i högfrekventa switch- och analogswitchapplikationer, vilket gör den idealisk för användning inom industriell och konsumentelektronik. Dess låga RDS(on) och höga effektivitet vid låga grindspänningar förbättrar prestandan i kompakta elektroniska konstruktioner.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual MOSFET, Dual N Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual MOSFET, Dual N Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The TOSHIBA SSM6N35FE,LM(T) is a dual N-channel MOSFET designed for high-speed switching and analog switch applications. It features a maximum drain-source voltage of 20 V, a drain current of 180 mA, and low on-state resistance (RDS(on)) of 3 Ω at VGS = 4.0 V. The device operates efficiently with a 1.2 V drive and is suitable for various electronic applications.
The TOSHIBA SSM6N35FE,LM(T) is a dual N-channel MOSFET designed for high-speed switching and analog switch applications. It features a maximum drain-source voltage of 20 V, a drain current of 180 mA, and low on-state resistance (RDS(on)) of 3 Ω at VGS = 4.0 V. The device operates efficiently with a 1.2 V drive and is suitable for various electronic applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.