logo

SSM6N16FE,L3F(T

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
TOSHIBA SSM6N16FE,L3F(T används i högfrekventa och analoga switchapplikationer, vilket gör den lämplig för industriell och konsumentelektronik. Dess låga RDS(on) och kompakta design möjliggör effektiv prestanda i högdensitets kretsar, vilket förbättrar den övergripande systemtillförlitligheten och effektiviteten.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual MOSFET, N-kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual MOSFET, N-kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The TOSHIBA SSM6N16FE,L3F(T is a Dual N-Channel MOSFET designed for high-speed and analog switching applications. It features a maximum Drain-Source voltage of 20 V, a Drain current of 100 mA, and a low on-state resistance (RDS(on)) of 3.0 Ω at VGS = 4 V. The device is suitable for high-density mounting due to its compact package, making it ideal for various electronic applications.
The TOSHIBA SSM6N16FE,L3F(T is a Dual N-Channel MOSFET designed for high-speed and analog switching applications. It features a maximum Drain-Source voltage of 20 V, a Drain current of 100 mA, and a low on-state resistance (RDS(on)) of 3.0 Ω at VGS = 4 V. The device is suitable for high-density mounting due to its compact package, making it ideal for various electronic applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.