logo

SSM6L807R,LF(T

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
SSM6L807R,LF(T) är avsedd för effektstyrningsapplikationer, inklusive effektbrytare i konsumentelektronik och industriella system. Dess låga RDS(on) och höga strömtålighet gör den lämplig för effektiv kraftkontroll i olika elektroniska enheter.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual MOSFET, N och P kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual MOSFET, N och P kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SSM6L807R,LF(T) is a dual N- and P-channel MOSFET from TOSHIBA, featuring a maximum drain-source voltage of 30 V for N-channel and -20 V for P-channel. It supports a continuous drain current of 4 A and offers low on-state resistance with RDS(ON) values of 39.1 mΩ (N-channel) and 45 mΩ (P-channel) at specified gate voltages.
The SSM6L807R,LF(T) is a dual N- and P-channel MOSFET from TOSHIBA, featuring a maximum drain-source voltage of 30 V for N-channel and -20 V for P-channel. It supports a continuous drain current of 4 A and offers low on-state resistance with RDS(ON) values of 39.1 mΩ (N-channel) and 45 mΩ (P-channel) at specified gate voltages.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.