logo

SSM6K819R,LF(T

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
TOSHIBA SSM6K819R,LF(T) är avsedd för tjockfilmsmotstånd och hög hastighet i strömbrytare inom fordons- och industriella områden. Dess låga RDS(on) och höga strömhållningskapacitet gör den idealisk för användning i strömförsörjningskretsar, motorstyrningar och andra elektroniska kontrollsystem.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Effekt-MOSFET, N-kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, ytmonterad.
TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Effekt-MOSFET, N-kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The TOSHIBA SSM6K819R,LF(T) is a Power MOSFET featuring an N-channel configuration with a maximum drain-source voltage of 100 V and a continuous drain current rating of 10 A. It exhibits a low on-resistance of RDS(ON) = 25.8 mΩ at VGS = 4.5 V, making it suitable for efficient power management and high-speed switching applications.
The TOSHIBA SSM6K819R,LF(T) is a Power MOSFET featuring an N-channel configuration with a maximum drain-source voltage of 100 V and a continuous drain current rating of 10 A. It exhibits a low on-resistance of RDS(ON) = 25.8 mΩ at VGS = 4.5 V, making it suitable for efficient power management and high-speed switching applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.