SCTL90N65G2V
Tillverkare
ST MICROELECTRONICS
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) ytmonterad PowerFlat™ (8x8) HV
N-Kanal 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) ytmonterad PowerFlat™ (8x8) HV
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SCTL90N65G2V is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET rated for 650 V and 40 A (Tc) with a maximum power dissipation of 935 W (Tc). It features a low on-resistance of 24 mΩ, a robust intrinsic body diode, and low capacitances, making it suitable for high-efficiency applications.
The SCTL90N65G2V is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET rated for 650 V and 40 A (Tc) with a maximum power dissipation of 935 W (Tc). It features a low on-resistance of 24 mΩ, a robust intrinsic body diode, and low capacitances, making it suitable for high-efficiency applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K