logo

SCTH35N65G2V-7

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
SCTH35N65G2V-7 är avsedd för användning inom industriella tillämpningar såsom switchade nätaggregat och DC-DC-omvandlare. Dess robusta prestanda och låga RDS(on) gör den idealisk för motorstyrning och andra effektiva krafthanteringssystem.
Specifikation
Specifikation
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) ytmonterad H2PAK-7
N-Kanal 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) ytmonterad H2PAK-7
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SCTH35N65G2V-7 is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET rated for 650V and 45A, housed in an H2PAK-7 package. It features a maximum RDS(on) of 67 mΩ, low gate charge, and excellent switching performance, making it suitable for high-efficiency applications.
The SCTH35N65G2V-7 is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET rated for 650V and 45A, housed in an H2PAK-7 package. It features a maximum RDS(on) of 67 mΩ, low gate charge, and excellent switching performance, making it suitable for high-efficiency applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.