SCT20N120
Tillverkare
ST MICROELECTRONICS
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål ytmonterad HiP247™
N-Kanal 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål ytmonterad HiP247™
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SCT20N120 is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 1200 V and a continuous drain current of 20 A. It features a low on-resistance of 189 mΩ at 150 °C, high thermal stability, and a robust intrinsic body diode, making it ideal for high-efficiency applications.
The SCT20N120 is a silicon carbide N-Channel Power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 1200 V and a continuous drain current of 20 A. It features a low on-resistance of 189 mΩ at 150 °C, high thermal stability, and a robust intrinsic body diode, making it ideal for high-efficiency applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K