logo

SBC846BDW1T1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
SBC846BDW1T1G används i allmänna förstärkarapplikationer inom olika områden, inklusive industri, fordons- och konsumentelektronik. Dess robusta specifikationer gör den idealisk för ytmonterade applikationer med låg effekt, vilket säkerställer tillförlitlighet och prestanda i olika elektroniska kretsar.
Specifikation
Specifikation
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW ytmonterad SC-88/SC70-6/SOT-363
Bipolär (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW ytmonterad SC-88/SC70-6/SOT-363
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The SBC846BDW1T1G is a dual NPN bipolar junction transistor array designed for general-purpose amplifier applications. It features a collector-emitter voltage of 65V, a collector current of 100mA, and a maximum power dissipation of 380mW. This surface-mounted device is housed in the SC-88/SC70-6 package, suitable for low-power applications.
The SBC846BDW1T1G is a dual NPN bipolar junction transistor array designed for general-purpose amplifier applications. It features a collector-emitter voltage of 65V, a collector current of 100mA, and a maximum power dissipation of 380mW. This surface-mounted device is housed in the SC-88/SC70-6 package, suitable for low-power applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.