logo

RN4987,LF(CT

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
RN4987 är lämplig för användning i switching, inverterkretsar, gränssnitt och drivrutiner, vilket gör den idealisk för användning inom konsumentelektronik och industriella tillämpningar där utrymmesbesparing och effektivitet är avgörande.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förhandsbiaserad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiaserad (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Förhandsbiaserad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiaserad (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN4987 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is designed for high-frequency applications up to 250MHz.
The RN4987 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is designed for high-frequency applications up to 250MHz.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.