RN4984,LF(CT
Tillverkare
TOSHIBA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förhandsbiaserad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiaserad (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Förhandsbiaserad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiaserad (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN4984 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is designed for high-frequency applications up to 250MHz.
The RN4984 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is designed for high-frequency applications up to 250MHz.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K