RN4983,LF(CT
Tillverkare
TOSHIBA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förspänd (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Förspänd bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förspänd (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN4983 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device integrates bias resistors, reducing external component count and enhancing system compactness.
The RN4983 is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 200mW. This surface-mounted device integrates bias resistors, reducing external component count and enhancing system compactness.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K