RN4982FE,LF(CT
Tillverkare
TOSHIBA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbisegande bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbisegande (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Ytmonterad ES6
Förbisegande bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbisegande (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Ytmonterad ES6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN4982FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a transition frequency of 250MHz. This dual transistor is designed for surface mount applications, integrating bias resistors to minimize external components.
The RN4982FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a transition frequency of 250MHz. This dual transistor is designed for surface mount applications, integrating bias resistors to minimize external components.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K