logo

RN4982FE,LF(CT

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
RN4982FE är lämplig för användning inom switching, inverterkretsar, gränssnitt och drivrutinskretsar. Dess kompakta design och integrerade biasmotstånd gör den idealisk för fordons- och allmänna elektroniska tillämpningar, vilket förbättrar systemeffektiviteten och minskar monteringstiden.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbisegande bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbisegande (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Ytmonterad ES6
Förbisegande bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förbisegande (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Ytmonterad ES6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN4982FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a transition frequency of 250MHz. This dual transistor is designed for surface mount applications, integrating bias resistors to minimize external components.
The RN4982FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring both NPN and PNP configurations. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a transition frequency of 250MHz. This dual transistor is designed for surface mount applications, integrating bias resistors to minimize external components.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.