logo

RN2902,LF(CT

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
RN2902,LF är avsedd för tillämpningar inom omkoppling, inverterkretsar, gränssnitt och drivkretsar. Dess kompakta dubbla kapsel och integrerade biasmotstånd gör den idealisk för utrymmesbegränsade konstruktioner inom industriell och konsumentelektronik.
Specifikation
Specifikation
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Ytmonterad US6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN2902,LF is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring a dual PNP configuration. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, collector current of 100mA, and power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is suitable for high-frequency applications up to 200MHz, integrating bias resistors to minimize external component count.
The RN2902,LF is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring a dual PNP configuration. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, collector current of 100mA, and power dissipation of 200mW. This surface-mounted device is suitable for high-frequency applications up to 200MHz, integrating bias resistors to minimize external component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.