logo

RN1910FE,LF(CT

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
RN1910FE är avsedd för användning inom industriella och fordonsapplikationer, särskilt inom switching, inverterkretsar, gränssnitt och drivrutiner. Dess kompakta design och integrerade biasmotstånd möjliggör minskad systemstorlek och monterings tid, vilket gör den idealisk för utrymmesbegränsade miljöer.
Specifikation
Specifikation
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW ytmonterad ES6
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW ytmonterad ES6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN1910FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring dual NPN configuration, rated for 50V and 100mA with a transition frequency of 250MHz. It integrates a bias resistor, reducing external component count and enhancing system compactness. This surface-mounted device is suitable for various applications including switching and driver circuits.
The RN1910FE is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring dual NPN configuration, rated for 50V and 100mA with a transition frequency of 250MHz. It integrates a bias resistor, reducing external component count and enhancing system compactness. This surface-mounted device is suitable for various applications including switching and driver circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.