logo

RN1608(TE85L,F)

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
RN1608(TE85L,F) är avsedd för användning inom industriella tillämpningar, särskilt i omkopplings-, inverterings-, gränssnitt- och drivrutinskretsar. Dess förbiased konfiguration möjliggör förenklade kretsdesigner, vilket minskar komponentantalet och förbättrar miniaturisering i elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) 2 NPN - Förspänd (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW ytmonterad SM6
Förspänd bipolär transistor (BJT) 2 NPN - Förspänd (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW ytmonterad SM6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN1608(TE85L,F) is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring two NPN devices in a surface mount SM6 package. It operates at a collector-emitter voltage of 50V, collector current of 100mA, and a power dissipation of 300mW. This device simplifies circuit design by integrating bias resistors, making it suitable for various applications in switching and driver circuits.
The RN1608(TE85L,F) is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring two NPN devices in a surface mount SM6 package. It operates at a collector-emitter voltage of 50V, collector current of 100mA, and a power dissipation of 300mW. This device simplifies circuit design by integrating bias resistors, making it suitable for various applications in switching and driver circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.